Новая NAND-память позволит создать твердотельные накопители со скоростью записи 10 Гбайт/с
Работу над новым типом памяти ведет группа, состоящая из
профессора Токийского университета Кена Такеючи (Ken Takeuchi) и исследователей
компании AIST (Advanced Industrial Science and Technology). За основу новой
памяти была взята уже известная ферооэлектрическая флэш-память. Если
традиционные типы NAND памяти требуют рабочего напряжения в 20 В, то для
ферроэлектрической памяти достаточно 3 В (6 в режиме записи). Тем не менее,
исследователям удалось дополнительно понизить напряжение потребляемого тока до
рекордного результата 1 В.
Обычная NAND память построена на так называемых «плавающих»
затворах, а в ячейках ферроэлектрической памяти используется металлический затвор
на изолирующей пленке. Даже при понижении управляющего напряжения до 1 В нет
необходимости существенно увеличивать количество циклов для схемы накачки
заряда – исследователи применили совершенно новый механизм записи, который
позволяет безошибочно записывать данные в ячейки, не нарушая содержимое
соседних ячеек.
Новый метод записи в ячейки ферроэлектрической NAND-памяти
получил название «самонакачки для отдельной ячейки» (Single-cell Self-boost
method). При этом методе две ячейки, соседние с нужной, отключаются путем
подачи управляющего напряжения 1В на оба конца линии, соединяющей эти ячейки,
так что их канал записи оказывается в «плавающем» состоянии и данные внутри
этих ячеек не повреждаются во время записи. Во время записи напряжение линии
записи (word line) накачивается до 6 В, что приводит к увеличению
электрического потенциала на канале отключенных соседних ячеек. В результате
разность потенциалов между каналом не предназначенных для записи ячеек и линией
записи уменьшается, что позволяет полностью избежать ошибочной записи (write
disturb), при которой наборы битов записываются не в ту ячейку из-за
перетекания зарядов межу ячейками при большой разности потенциалов.
Работа японских исследователей по созданию нового типа
сверхэкономичной флэш-памяти на базе ферроэлектрических элементов представлена
на 2-й международной конференции IEEE IMW 2010 (International Memory Workshop),
прошедшей 16-19 мая в Сеуле (Южная Корея).
Оставьте Ваш комментарий или мнение о новости: Новая NAND-память позволит создать твердотельные накопители со скоростью записи 10 Гбайт/с Просим Вас оставлять сообщения по теме и уважать своих собеседников и авторов новостного сообщения.
.gif){kind=small}
.gif){kind=small}
